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磨碳化硅的设备
磨碳化硅的设备
碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速
近 10 年逐渐兴起，具备大带隙、大载流子漂移速率、大热导率和大击穿电场 四大特性，全面突破材料在高频、高压、高温等复杂条件下的应用极限， 适配 5G 通信、新能源汽车、 除碳化硅长晶炉设备外，被日本高鸟占据80%以上份额的碳化硅切磨抛设备，成 产业加速扩张之下，碳化硅
碳化硅衬底磨抛加工技术的研究进展与发展趋势 艾邦半导体网
摘要 碳化硅衬底难加工的材料特性叠加其大尺寸化、超薄化的放大效应，给现有的加工技术带来了巨大的挑战，高效率、高质量的碳化硅衬底加工技术成了当下的研究热点本文综 2022年，鸿海集团推出首款自制电动皮卡Model V以及Model B电动SUV，现场展示第三代半导体技术——碳化硅（SiC）功率模块，电动车用电控系统、6寸碳化硅导电型（N 「碳化硅」晶圆制造及精密磨削、抛光、清洗解决方案，实现
「碳化硅」晶圆制造及精密磨削、抛光、清洗解决方案，实现
2022年，鸿海集团推出首款自制电动皮卡Model V以及Model B电动SUV，现场展示第三代半导体技术——碳化硅（SiC）功率模块，电动车用电控系统、6寸碳化硅导电型（N 成立之初公司主要从事切割刀片和研磨 砂轮业务，随着下游对精度要求的提高公司产品不断向超薄化发展。 1968 年 DISCO 推 出厚度 40μm 的 MICROCUT 切割轮，但由于当时 半导体行业专题研究报告：半导体切磨抛装备材料的国产化趋势
产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻
除碳化硅长晶炉设备外，被日本高鸟占据80%以上份额的碳化硅切磨抛设备，成为了上机数控、宇晶股份、大族激光、高测股份等厂商向上突围的共同选择。,切抛磨环节约占衬底总成本的2/3, 切磨抛设备是衬底加工最核心的设备,国产化率� � 20%。根据我们测算,预计2025 年中国车用6 英寸SiC 晶圆抛磨设备市场空间约为509 亿元。在 行 业 研 机械设备 关注碳化硅设备国
东吴证券碳化硅设备行业深度报告:SiC东风已来,关注衬底与
碳化硅(SiC)具有更高热导率、高击穿场强等优点,适用于制作高温、高频、高功率器件,新能源汽车是未来大应用市场,2027年新能源汽车导电型SiC 功率器件市场规模有望达50 亿 大尺寸碳化硅激光切片设备是未来8英寸碳化硅晶锭切片的核心设备。 目前大尺寸碳化硅晶锭激光切片设备仅日本能提供，价格昂贵且对中国禁运。 据调研，激光切片/减薄设备国内 成果推介：大尺寸碳化硅激光切片设备与技术
迈向半导体碳化硅设备龙头,设备零部件协同布局铸造高壁垒+
在功率半导体领域,2023 年6 月,公司成功研发出8英寸单片式碳化硅外延生长设备;2023 年2 月,公司发布6英寸双片式碳化硅外延设备,与单片设备相比,新设备单台产能增加70% ,单片 碳化硅衬底的加工主要分为以下几个工序，切割，粗磨，精磨，粗抛，精抛（CMP）。 该工艺采用的金刚石是02um原晶的团聚金刚石磨料，加工后的面粗在3nm以内。详解碳化硅晶片的磨抛工艺方案加工表面金刚石
8英寸碳化硅晶圆减薄与磨抛技术与6英寸不同之处
8英寸碳化硅晶圆减薄与磨抛技术与6英寸的主要不同体现在工艺要求和设备配置上。 1：晶圆减薄工艺是半导体制造过程中的关键步骤，旨在将晶圆的厚度减小到特定值，以提高芯片制造过程中的加工性能并减少材料浪费。 对于8英寸和6英寸碳化硅晶圆，减薄的 本文以研究第三代半导体碳化硅衬底磨抛加工 技术为目的，综述了机械磨抛技术、化学反应磨抛技 术的进展 根据去除机理的不同，划分并总结现有磨 抛技术的特点：传统机械磨抛拥有较高的材料去除 率，但是其加工质量较差，且损伤严重；而化学腐蚀 反应磨抛的加工质量较好，但是较低的材料 碳化硅衬底磨抛加工技术的研究进展与发展趋势 艾邦半导体网
宇晶股份：目前公司生产的碳化硅切、磨、抛设备已实现批量
近年来，公司加大对碳化硅切、磨、抛关键技术的攻克，设备的精度已经达到行业一流水平，公司生产的碳化硅切割、研磨、抛光设备主要用于加工单晶碳化硅抛光片，N型导电型碳化硅抛光片是制作功率芯片的核心材料，在新能源汽车、光伏逆变器、充电桩等 一、DISCO：全球半导体切磨抛设备材料巨头 （一）专注半导体切割、研磨、抛光八十余载，产品布局完善 日本迪思科株式会社（DISCO Corporation）成立于 1937 年，是一家专注于“Kiru（切）、 Kezuru（磨）、Migaku（抛）”技术的全球知名半导体设备厂商。 公司产品 半导体行业专题研究报告：半导体切磨抛装备材料的国产化趋势
碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有
2020 年 8 月 17，公司碳化硅衬底产业化基地建设项目正式开工，总投资约 95 亿元 人民币，总建筑面积 55 万平方米，将新建一条 400 台/套碳化硅单晶生长炉及其配 套切、磨、抛加工设备的碳化硅衬底生产线，计划于 2022 年年初完工投产，建成后 可年产碳化硅衬 仅以苹果的Vision Pro来计算，我们预计24年带动抛磨设备需求073亿元，28年将达2626亿元。 投资建议：公司作为精密抛磨设备龙头，3C行业占比高 宇环数控：数控抛磨设备龙头，受益3C复苏和碳化硅高景气
东吴证券碳化硅设备行业深度报告:SiC东风已来,关注衬底与
东吴证券碳化硅设备行业深度报告:SiC东风已来,关注衬底与外延环节的材料+设备国产化机遇【勘误版】pdf摘要: 碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛地应用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火材料等领域。常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。本文对SiC粉体的 碳化硅的制备及应用最新研究进展 汉斯出版社
engis SIC碳化硅 研磨抛光设备公司新闻玖研科技（上海
日本Engis目前已经提供超精密抛光设备技术以及优异加工磨料给日本国内各大单晶碳化硅(SiC)基板厂商，并且日本产总研(注一)也经测试认可已采用相关的设备。 虽然单晶碳化硅基板在研磨抛光制程上比蓝宝石基板相对困难，但是在高阶蓝光LED表现上却是比蓝 一、国内数控抛磨设备龙头，核心受益3C复苏 （一）深耕行业近二十年，高端数控抛磨设备龙头 深耕行业近二十载，技术积累深厚。 2004 年公司前身湖南宇环科技机械有限公司成立。 2006年公司全面布局专业发展数控机床领域主机制造业务，正式更名为“湖南 2024年宇环数控研究报告：数控抛磨设备龙头，受益3C复苏和
造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？中国纳米行业门户
由于SiC工艺的特殊性，传统用于Si基功率器件制备的设备已不能满足需求，需要增加一些专用的设备作为支撑，如材料制备中的碳化硅单晶生长炉、金刚线多线切割机设备，芯片制程中的高温高能离子注入、退火激活、栅氧制备等设备。与客户正在积极推进碳化硅设备的打样和销售进程。根据我们测算，2024年全球 碳化硅抛磨设备市场空间达119亿元，按国内36%市场份额，国内市场空间43 亿元。 VisionPro将于24年量产销售，公司设备可用于VR眼镜镜片凹面+凸面打磨、宇环数控: 数控抛磨设备龙头，受益3C复苏和碳化硅高景气度
知乎专栏
A platform for free expression and writing at will, without any specific description due to site settings近日，迈为股份半导体晶圆研抛一体设备顺利发往国内头部封测企业华天科技 (江苏)有限公司 (以下简称“江苏华天”)，同步供应的还有12英寸晶圆减薄设备以及晶圆激光开槽设备。本次合作标志着公司自主研发的国内首款 (干抛式)晶圆研抛一体设备各项性能指标达到预期，开启客户端产品验证 国内首款干抛式机台，迈为股份半导体晶圆研抛一体设备成功
碳化硅晶片的磨抛工艺、切割、研磨、抛光
碳化硅衬底的加工主要分为以下几个工序，切割，粗磨，精磨，粗抛，精抛（CMP）。 1切割 切割是将SiC晶棒沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程。 将SiC晶棒切成翘曲度小，厚度均匀的晶片，目前常规的切割方式是多线砂浆切割 2研磨 研磨工艺是去除切割 碳化硅衬底及外延材料量测检测设备的挑战及国产替代进度 2024年世界碳化硅大会在武汉举办获得圆满成功，在大会上，诸多碳化硅产业的专业人员也给我们分享了这个行业目前的进展以及相关产业的研究进度，那么本文将带来上海优睿谱半导体设备有限公司 碳化硅衬底及外延材料量测检测设备的挑战及国产替代进度
知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎
Express freely and write on diverse topics with Zhihu's personalized column platform现在6英寸向8英寸扩径的行业趋势明确，如果我们国内设备厂商仍大幅提升6英寸衬底设备产能将面临“投产即落后”的问题。 所以设备厂商在本阶段应该重点突破和布局8英寸衬底设备产能，才能实现弯道超车。 碳化硅市场竞争格局 目前而言，在碳化硅衬底 趋势丨国产碳化硅进击8英寸，竞争将更加激烈且复杂 腾讯网
碳化硅设备行业深度报告：SiC东风已来，关注衬底与外延
碳化硅设备行业深度报告：SiC东风已来，关注衬底与外延环节的材料+设备国产化机遇【勘误版】 1、关键假设、驱动因素及主要预测 关键假设： 1）新能源汽车渗透率持续提升，SiC迎来上车导入期；2）国产材料商、设备商市场份额逐步提升。 驱动因素： 1 碳化硅衬底的加工主要分为以下几个工序，切割，粗磨，精磨，粗抛，精抛（CMP）。 该工艺采用的金刚石是02um原晶的团聚金刚石磨料，加工后的面粗在3nm以内。详解碳化硅晶片的磨抛工艺方案加工表面金刚石
8英寸碳化硅晶圆减薄与磨抛技术与6英寸不同之处
8英寸碳化硅晶圆减薄与磨抛技术与6英寸的主要不同体现在工艺要求和设备配置上。 1：晶圆减薄工艺是半导体制造过程中的关键步骤，旨在将晶圆的厚度减小到特定值，以提高芯片制造过程中的加工性能并减少材料浪费。 对于8英寸和6英寸碳化硅晶圆，减薄的 本文以研究第三代半导体碳化硅衬底磨抛加工 技术为目的，综述了机械磨抛技术、化学反应磨抛技 术的进展 根据去除机理的不同，划分并总结现有磨 抛技术的特点：传统机械磨抛拥有较高的材料去除 率，但是其加工质量较差，且损伤严重；而化学腐蚀 反应磨抛的加工质量较好，但是较低的材料 碳化硅衬底磨抛加工技术的研究进展与发展趋势 艾邦半导体网
宇晶股份：目前公司生产的碳化硅切、磨、抛设备已实现批量
近年来，公司加大对碳化硅切、磨、抛关键技术的攻克，设备的精度已经达到行业一流水平，公司生产的碳化硅切割、研磨、抛光设备主要用于加工单晶碳化硅抛光片，N型导电型碳化硅抛光片是制作功率芯片的核心材料，在新能源汽车、光伏逆变器、充电桩等 一、DISCO：全球半导体切磨抛设备材料巨头 （一）专注半导体切割、研磨、抛光八十余载，产品布局完善 日本迪思科株式会社（DISCO Corporation）成立于 1937 年，是一家专注于“Kiru（切）、 Kezuru（磨）、Migaku（抛）”技术的全球知名半导体设备厂商。 公司产品 半导体行业专题研究报告：半导体切磨抛装备材料的国产化趋势
碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有
2020 年 8 月 17，公司碳化硅衬底产业化基地建设项目正式开工，总投资约 95 亿元 人民币，总建筑面积 55 万平方米，将新建一条 400 台/套碳化硅单晶生长炉及其配 套切、磨、抛加工设备的碳化硅衬底生产线，计划于 2022 年年初完工投产，建成后 可年产碳化硅衬 仅以苹果的Vision Pro来计算，我们预计24年带动抛磨设备需求073亿元，28年将达2626亿元。 投资建议：公司作为精密抛磨设备龙头，3C行业占比高 宇环数控：数控抛磨设备龙头，受益3C复苏和碳化硅高景气
东吴证券碳化硅设备行业深度报告:SiC东风已来,关注衬底与
东吴证券碳化硅设备行业深度报告:SiC东风已来,关注衬底与外延环节的材料+设备国产化机遇【勘误版】pdf摘要: 碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛地应用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火材料等领域。常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。本文对SiC粉体的 碳化硅的制备及应用最新研究进展 汉斯出版社
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日本Engis目前已经提供超精密抛光设备技术以及优异加工磨料给日本国内各大单晶碳化硅(SiC)基板厂商，并且日本产总研(注一)也经测试认可已采用相关的设备。 虽然单晶碳化硅基板在研磨抛光制程上比蓝宝石基板相对困难，但是在高阶蓝光LED表现上却是比蓝