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新型碳化硅
新型碳化硅
揭秘第三代芯片材料碳化硅，国产替代黄金赛道澎湃号湃客
碳化硅器件具备广阔的应用领域和市场空间， 2019 年全球碳化硅功率器件市场规模为 541 亿美元，预计 2025 年将增长至 2562 亿美元，年化复合增速约 30%。 本期的智能内 然而，由于碳化硅器件高效率、 高功率密度等特性，新能源汽车、能源、工业等领域的强劲需求有望带动碳化硅渗 透率快速提升。 碳化硅衬底的尺寸不断增大，当前国际主流尺寸 碳化硅行业深度报告：新材料定义新机遇，SiC引领行业变革
第三代半导体材料之碳化硅（SiC）应用现状及前景分析
碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具 Qorvo指出，碳化硅技术在提升新能源汽车的性能和功能方面扮演着重要角色。作为一种新型半导体材料，碳化硅以其优异的物理特性，如高击穿电场、高热导率、低电阻率等，为 Qorvo展示前沿碳化硅技术，引领电子行业创新第三代半导体风向
汽车半导体巨头安森美详解碳化硅战略，目标三年内营收超40
记者 彭新编辑 在汽车电动化热潮下，一类新型半导体技术——碳化硅（SiC）材料成为市场追逐的热点。 碳化硅由硅和钻石的组成元素碳结合而成。英飞凌凭借 CoolSiC™ MOSFET G2 将碳化硅的性能提升到了新的水平。 新一代碳化硅技术使厂商能够更快地设计出成本更低、结构更紧凑、性能更可靠，且效率更高的系统，在 英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2，推动
碳化硅 百度百科
碳化硅脱氧剂是一种新型的强复合脱氧剂，取代了传统的硅粉碳粉进行脱氧，和原工艺相比各项理化性能更加稳定，脱氧效果好，使脱氧时间缩短，节约能源，提高炼钢效率，提高 经过严苛的地面考核试验，各项数据表明，中国科学院金属所研制的新型铝基碳化硅完全能够满足火星复杂地貌导致的冲击、磨损等工况，相关技术方案获得火星车设计总体单位的 【科技日报】新型铝基碳化硅复合材料为“祝融”漫步火星护航
首次发现！碳化硅成为微芯片传感器中的新型超强材料
由助理教授Richard Norte领导的代尔夫特理工大学的研究人员公布了一种引人注目的新材料，具有影响材料科学世界的潜力：非晶碳化硅（aSiC）。 除了其卓越的强度，这种材料 Microchip宣布推出碳化硅（SiC）产品，助力打造可靠的高压电子设备 —— 随着市场对SiC技术的效率和功率密度的要求不断上升，新推出的700V MOSFET和700V、1200V SBD可为客户提供更多选择 汽车、工业、太空和国防领域越来越需要能提升系统效率、稳健性和功 Microchip宣布推出碳化硅（SiC）产品，助力打造可靠的
铝碳化硅(AlSiC)材料介绍
铝碳化硅复合材料(AlSiC) Metalized Ceramic),是一种新型功能复合材料,全称铝基碳化硅陶瓷颗粒增强复合材料(Reinforced Material Aluminum Matrix SiC Particle )。 其展现出的优异性能,吸引了国内外无数的科研院所和科技公司对其 生产制造技术投入资金、技术、人力进行研 新型碳化硅功率二极管的研究 随着绿色高效能源转换的迫切要求和电力电子技术的不断发展,以硅材料为基础的传统电力电子器件的物理局限性日益显现,严重制约了器件的工作电压,工作电流,工作频率,工作温度,耗散功率和抗辐射等性能的提高碳化硅材料作为新 新型碳化硅功率二极管的研究 百度学术
日本高鸟研发出新型碳化硅功率半导体方向的切割设备，可
CINNO Research产业资讯，日本半导体材料加工设备厂商高鸟株式会社（Takatori，以下简称为“高鸟”）近日推出了一款用于切割功率半导体方向碳化硅（SiC）晶圆的新型切割设备。该设备不仅支持切割当下主流的直径为6吋（约15厘米）的晶圆，还可用于切割10吋晶圆（约25厘米），可显著提升半导体芯片 顺利开幕2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术论坛 10:02 随着新能源汽车的普及及5G的商用，量产新能源车型中搭载碳化硅（SiC）以及5G基站功放使用碳化硅基氮化镓，催生了碳化硅产业链从衬底外延器件模块应用巨大的市场需求。我国目前在以碳化硅、氮化镓为首的第三代 顺利开幕2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术
高鸟研发出新型碳化硅功率半导体方向的切割设备，可用于
CINNO Research产业资讯，日本半导体材料加工设备厂商高鸟株式会社（Takatori，以下简称为“高鸟”）近日推出了一款用于切割功率半导体方向碳化硅（SiC）晶圆的新型切割设备。该设备不仅支持切割当下主流的直径为6吋（约15厘米）的晶圆，还可用于切割10吋晶圆（约25厘米），可显著提升半导体芯片 知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎
话题｜碳化硅在新型电力系统中的应用与可靠性研究电子
当前，新型电力系统所采用的碳化硅器件分成两类，一类是中低压的SiC MOSFET器件，电压范围为1200V6500V。 这类碳化硅器件主要用在配电网，比如分布能源的光伏逆变器、储能PCS等。碳化硅在射频、功率器件领域应用广泛，市场增长空间广阔。 根据碳化硅行业 全球龙头厂商 Wolfspeed 的预测，受新能源汽车及发电、电源设备、射频器件等 需求驱动，2026 年碳化硅器件市场规模有望达到 89 亿美元，其中用于新能源汽车和工业、能源的 SiC 功率 碳化硅行业深度报告：新材料定义新机遇，SiC引领行业变革
新型碳化硅IGBT器件，首次成功实现导通电流密度突破50A/cm2
中国首次研制出10kV p沟道50A/cm2 碳化硅 IGBT器件 热生长二氧化硅是碳化硅基IGBT栅介质材料的首选，而二氧化硅与碳化硅界面的缺陷对IGBT器件的载流子迁移率、正向导通电阻等性能 参数 具有决定性的影响。 为了提高碳化硅 IGBT的导通特性，研究团队通过介质 新型碳化硅陶瓷基复合材料的研究进展 介绍了碳化硅陶瓷基复合材料的应用和发展现状,阐述了CVICMCSiC制造技术在我国的研究进展,开展了CVICMCSiC的性能与微结构特性的研究和CVI过程控制及其对性能影响的研究,研制了多种CMCSiC和其构件材料性能和整体研究与 新型碳化硅陶瓷基复合材料的研究进展 百度学术
国内碳化硅（SiC）长晶炉供应商10强 艾邦半导体网
来源：晶升股份年报 以下排名不分先后，如有遗漏，艾邦新建碳化硅功率半导体产业链微信群，欢迎大家加群讨论。 SiC长晶设备国产化，8英寸开始供货 目前国内主要的碳化硅长晶炉厂商主要分为两种类型，一是专业晶体生长设备供应商，二是碳化硅衬底厂商 更耐高压、更低功耗：新型碳化硅IGBT器件闪耀半导体器件舞台 时间： 几十年前，在功率半导体器件领域，半导体硅材料一直“独唱主角”，硅基超大规模集成技术对硅功率器件的发展产生了重大影响。 然而，随着功率领域对小型化、高频、高温 更耐高压、更低功耗：新型碳化硅IGBT器件闪耀半导体器件舞台
宁波材料所研发制备出新型碳化硅陶瓷致密化烧结助剂 宁波
该研究成果表明，具有三元层状的Y 3 Si 2 C 2 材料可成为碳化硅陶瓷新型的烧结助剂，其具有低温液相存在和高温相分解的特性，能起到促进碳化硅陶瓷高温烧结过程中晶粒重排和晶界处重结晶的效果。碳化硅主要有两种晶体结构，即立方晶系的β SiC和六方晶系的 SiC。 碳化硅晶体 的基本结构单元是相互穿插的SiC和CSi四面体。四面体共边形成平面层，并以顶点与下一叠层四面体相连形成三维结构。由于四面体堆积次序的不同可以形成不同的结构，已发现数百种变体。一般采用字母C (立方)、H (六 碳化硅陶瓷 百度百科
首次发现！碳化硅成为微芯片传感器中的新型超强材料
碳化硅成为微芯片传感器中的新型超强材料电子工程专辑 首次发现！ 碳化硅成为微芯片传感器中的新型超强材料 由助理教授Richard Norte领导的代尔夫特理工大学的研究人员公布了一种引人注目的新材料，具有影响材料科学世界的潜力：非晶碳化硅（aSiC 主要内容 1 、通过与基体复合解决陶瓷材料致命的弱点脆性的关键技术研究； 2 、碳化硅陶瓷材料在功能性材料上的应用关键技术研究； 3 、碳化硅陶瓷材料在结构性材料上的应用关键技术研究。 产学研拟 合作模式 技术转让 委托开发 共同开发 共建经济 56新型碳化硅陶瓷基复合材料的应用湖南恒裕新材料科技
第三代半导体材料之碳化硅（SiC）应用现状及前景分析
11:27 近年来，以碳化硅为代表的第三代半导体材料在禁带宽度、击穿电场强度、饱和电子漂移速率、热导率以及抗辐射等关键参数方面具有显著优势，进一步满足了现代工业对高功率、高电压、高频率的需求。 以碳化硅为衬底制成的功率器件相比硅基 新型电力电子器件—碳化硅ppt课件910碳化硅 MOSFET 器件功率 MOSFET 具有理想的栅极绝缘特性、高速的开关 性能、低导通电阻和高稳定性，在硅基器件中，功率 MOSFET 获得巨大成功。 同样，碳化硅 MOSFE 也是最受瞩 目的碳化硅功率开关器件，其最明显的优点是 新型电力电子器件—碳化硅ppt课件百度文库
一种新型低压直流碳化硅固态断路器周颢晖何东徐星冬蒋磊
随着直流微电网的发展,直流断路器作为其主要保护装置而受到高度关注。结合第三代宽禁带半导体器件的优势,提出了一种新型低压直流碳化硅(Silicon CarbiMicrochip宣布推出碳化硅（SiC）产品，助力打造可靠的高压电子设备 —— 随着市场对SiC技术的效率和功率密度的要求不断上升，新推出的700V MOSFET和700V、1200V SBD可为客户提供更多选择 汽车、工业、太空和国防领域越来越需要能提升系统效率、稳健性和功 Microchip宣布推出碳化硅（SiC）产品，助力打造可靠的
铝碳化硅(AlSiC)材料介绍
铝碳化硅复合材料(AlSiC) Metalized Ceramic),是一种新型功能复合材料,全称铝基碳化硅陶瓷颗粒增强复合材料(Reinforced Material Aluminum Matrix SiC Particle )。 其展现出的优异性能,吸引了国内外无数的科研院所和科技公司对其 生产制造技术投入资金、技术、人力进行研 新型碳化硅功率二极管的研究 随着绿色高效能源转换的迫切要求和电力电子技术的不断发展,以硅材料为基础的传统电力电子器件的物理局限性日益显现,严重制约了器件的工作电压,工作电流,工作频率,工作温度,耗散功率和抗辐射等性能的提高碳化硅材料作为新 新型碳化硅功率二极管的研究 百度学术
日本高鸟研发出新型碳化硅功率半导体方向的切割设备，可
CINNO Research产业资讯，日本半导体材料加工设备厂商高鸟株式会社（Takatori，以下简称为“高鸟”）近日推出了一款用于切割功率半导体方向碳化硅（SiC）晶圆的新型切割设备。该设备不仅支持切割当下主流的直径为6吋（约15厘米）的晶圆，还可用于切割10吋晶圆（约25厘米），可显著提升半导体芯片 顺利开幕2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术论坛 10:02 随着新能源汽车的普及及5G的商用，量产新能源车型中搭载碳化硅（SiC）以及5G基站功放使用碳化硅基氮化镓，催生了碳化硅产业链从衬底外延器件模块应用巨大的市场需求。我国目前在以碳化硅、氮化镓为首的第三代 顺利开幕2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术
高鸟研发出新型碳化硅功率半导体方向的切割设备，可用于
CINNO Research产业资讯，日本半导体材料加工设备厂商高鸟株式会社（Takatori，以下简称为“高鸟”）近日推出了一款用于切割功率半导体方向碳化硅（SiC）晶圆的新型切割设备。该设备不仅支持切割当下主流的直径为6吋（约15厘米）的晶圆，还可用于切割10吋晶圆（约25厘米），可显著提升半导体芯片 知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎
话题｜碳化硅在新型电力系统中的应用与可靠性研究电子
当前，新型电力系统所采用的碳化硅器件分成两类，一类是中低压的SiC MOSFET器件，电压范围为1200V6500V。 这类碳化硅器件主要用在配电网，比如分布能源的光伏逆变器、储能PCS等。1 碳化硅：第三代半导体突破性材料 11 优质的新型半导体衬底材料 半导体材料根据时间先后可以分为三代。代为锗、硅等普通单质材料，其 特点为开关便捷，一般多用于集成电路。第二代为砷化镓、磷化铟等化合物半导体， 主要用于发光及通讯材料。第三代半导体主要包括碳化硅、氮化镓等 碳化硅行业深度报告：新材料定义新机遇，SiC引领行业变革
新型碳化硅IGBT器件，首次成功实现导通电流密度突破50A/cm2
中国首次研制出10kV p沟道50A/cm2 碳化硅 IGBT器件 热生长二氧化硅是碳化硅基IGBT栅介质材料的首选，而二氧化硅与碳化硅界面的缺陷对IGBT器件的载流子迁移率、正向导通电阻等性能 参数 具有决定性的影响。 为了提高碳化硅 IGBT的导通特性，研究团队通过介质