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一种电沉积硅的方法张士宪
一种电沉积硅的方法张士宪
一种电沉积硅的方法 [发明专利]百度文库
摘要：一种电沉积硅的方法，属电解和电泳技术领域，wenkubaidu于解决以熔盐为介质，在直流电的作用 下，由SiO一步电沉积出硅的问题。2022年1月17日 本发明采用上述结构的一种电沉积硅薄膜的方法，不仅能够解决四氯化硅污染环境、增加企业生产成本的问题，而且还能够解决传统方法电沉积硅薄膜所需温度高 一种电沉积硅薄膜的方法 CNA PatentGuru
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2007年5月29日 本发明方法以熔盐电沉积出的硅作为渗硅的硅源，电沉积硅和硅在钼基体中扩散同时进行，具有梯度层厚度容易控制，工艺参数范围宽，易操作，材料表面结构致 摘要：一种电沉积硅的方法，属电解和电泳技术领域，用于解决以熔盐为介质，在直流电的作用 下，由SiO一步电沉积出硅的问题。 获取价格 一种电化学沉积制备膜电极的方法及其 一种电沉积硅的方法张士宪
一种电沉积硅的方法张士宪
一种电沉积硅的方法张士宪 一种PECVD法沉积非晶硅的控制爆膜的方法与流程2326一种pecvd法沉积非晶硅的控制爆膜的方法技术领域本发明属于太阳能电池技术领域，尤其 在FLINAKNa2SiF6熔盐体系中,以Pt为参比电极,硅钢片为工作电极,石墨为辅助电极,在750℃下,用循环伏安法和计时电位法对Si4+的电化学反应机理和扩散系数进行了研究结 熔盐电沉积硅的基础研究 百度学术
电沉积硅技术的历史和发展趋势docx 豆丁网
2014年10月5日 摘要:介绍了沉积硅的几种方法。 常规的沉积方法为固体粉末法和气相沉积法。 固体粉末法要消耗大量的硅 铁,且硅层存在气孔;气相沉积法由于涉及气体,其保护措 2011年4月28日 摘要: 研究了Na3AlF6LiF 体系中硅沉积的电化学行为及影响因素,并分别采用电解沉积和电解精炼方法获得了单质硅 结果表明: Si(IV) 的电化学还原过程分步进行, Na3AlF6LiF熔盐体系中硅的电沉积行为 物理化学学报
氮化硅介电层的制作方法、约瑟夫森结及超导量子比特[发明专利]
氮化硅介电层的制作方法、约瑟夫森结及超导量子比特 [发明专利] 摘要：本发明公开了一种氮化硅介电层的制作方法、约瑟夫森结及超导量子比特，所述氮化硅介 电层的制作方法包 摘要： 本发明生产方法包含配制炉料及矿热炉冶炼。 其特点是采用从未用过的石英砂为原料。 以石英砂100公斤及碳质还原剂30—50公斤配制炉料,碳质还原剂可以使用石油焦、木 石英砂制备工业硅的生产方法 百度学术
一种熔盐电沉积钒的方法 百度学术
何小凤，李运刚，张士宪 ，李智慧 展开 摘要： 本发明公开了一种熔盐电沉积钒的方法,本发明方法以NaCl,KC1,NaF构成的三组元为介质,阳极材质为高纯石墨,阴极为碳钢片,在温度670～830℃保温7h将V2O5在熔盐中充分溶解,脉冲给电且平均电流密度为110 2020年8月25日 为实现上述目的，本发明提供了一种高温熔盐电沉积制备单晶硅膜及硅pn结的方法，所述方法包括以下步骤： 步骤1、将原料按比例加入坩埚中，并加入掺杂剂，然后将所述坩埚放入高温电阻炉内，在惰性气氛下加热至400～600℃，保温12～24h除去所述 一种高温熔盐电沉积制备单晶硅膜及硅PN结的方法与流程
一种多层非晶硅薄膜的制备方法及太阳能电池 百度学术
2021年9月29日 一种多层非晶硅薄膜的制备方法及太阳能电池 本发明公开了一种多层非晶硅薄膜的制备方法及太阳能电池,该制备方法包括:在低射频功率和低加热温度,高的射频功率和加热温度,更高射频频率的条件下,利用PECVD工艺依次在硅片表面沉积三层非晶硅薄膜本发 何小凤，李运刚，张士宪 ，李智慧 展开 摘要： 本发明公开了一种熔盐电沉积钒的方法,本发明方法以NaCl,KC1,NaF构成的三组元为介质,阳极材质为高纯石墨,阴极为碳钢片,在温度670～830℃保温7h将V2O5在熔盐中充分溶解,脉冲给电且平均电流密度为110 一种熔盐电沉积钒的方法 百度学术
一种氮化硅薄膜的可流动化学气相沉积方法 百度学术
2018年8月26日 本发明提供了一种具有较低蚀刻速率的氧化硅薄膜的可流动化学气相沉积方法,以具有环形分子结构的环硅烷作为前驱体,与含氮化合物采用"沉积固化"的周期性循环方式沉积到衬底上,形成可流动的氮化硅薄膜,直至填满衬底的沟槽本发明公开的氮化硅薄膜的SiH键密度显著降低,湿蚀刻速率也大大降低,在 CN 摘要： 本发明属于太阳能电池技术领域,提供了一种晶体硅太阳能电池的制备方法及晶体硅太阳能电池该制备方法包括:对N型晶体硅片清洗和制绒;在硅片正面进行硼扩散形成P型发射极和硼硅玻璃层,用酸溶液去除扩散至硅片背面的硼硅玻璃;在硅片背面 一种晶体硅太阳能电池的制备方法及晶体硅太阳能电池
一种用于多晶硅生产提高还原沉积反应效率的方法 百度学术
2013年1月22日 展开 收藏 引用 批量引用 报错 分享 文库来源 其他来源 免费下载 求助全文 一种用于多晶硅生产提高还原沉积反应效率的方法 [发明专利] 20人查看 热门文献 多晶硅生产 还原沉积反应效率 还原沉积反应 二氯二氢硅 还原沉积反应器 02007年5月29日 本发明用于解决上述已有技术之缺陷而提供一种以熔盐为介质，在直流电的作用下，由SiO 2 一步电沉积出硅的方法。 本发明所称问题是通过以下技术方案解决的： 一种电沉积硅的方法，其特别之处是：它由下述步骤组成： a配制熔盐介质：选取 CNA 一种电沉积硅的方法 Google Patents
一种利用热等离子法制备球形纳米硅的方法 百度学术
2017年1月3日 本发明涉及一种利用热等离子法制备球形纳米硅的方法,属于硅冶金及材料制备技术领域先将工业级气体或混合气通入等离子体发生器,引弧得到热等离子体,将微米级含硅粉料通过载气进入热等离子高温区域得到气态硅原子及其他气态粒子,气态硅原子及其他气态粒子在急速冷却过程中得到纳米颗粒 2012年2月8日 本发明涉及可加工层状钛硅铝碳陶瓷领域,特别提供了一种利用电泳沉积制备钛硅铝碳 (Ti3Si (Al)C2)陶瓷涂层的方法,解决现有技术中难以获得纯的钛硅碳 (Ti3SiC2)涂层等问题。 该方法以钛硅铝碳 (Ti3SiAlC2)粉末、水 (H2O)为原料制成悬浮液,悬浮液中钛硅铝碳 (Ti3SiAlC2)的 一种利用电泳沉积制备钛硅铝碳陶瓷涂层的方法
电沉积硅技术的历史和发展趋势docx 豆丁网
2014年10月5日 的欢迎。本文介绍了各方法的影响因素,回顾了电沉积硅的历史,指出电沉积硅法具有良好的发展趋势。 关键词:电沉积;硅;历史;趋势 文章编号:10092617 (2004)04018803中图分类号:TQ02874文献标识码:A 硅作为一种半导体材料早已为人们所重视, 随着电气化的工业进步和金属材料技术的发展, 硅作为一种新型 本发明公开一种增强氮化硅薄膜张应力的方法,在一硅片的表面淀积有一氮化硅薄膜层,其中,利用一清洗液去除氮化硅表面自然氧化层,然后进行硅片表面氧化层膜厚测定分析,之后,若是硅片表面氧化层膜完成清洗去除之后所剩下的残膜的厚度不超出预先设定的厚度值,对氮化硅薄膜层进行紫外线处理 一种增强氮化硅薄膜张应力的方法 百度学术
一种硼掺杂纳米硅的制备方法 X技术网
2021年11月3日 一种硼掺杂纳米硅的制备方法 文档序号： 发布日期： 20:28 阅读：830 来源：国知局 导航： X技术 > 最新专利 > 电气元件制品的制造及其应用技术 1本发明属于锂电池材料的领域，具体涉及一种硼掺杂纳米硅的制备方法。 背景技术： 2目前，硅因其卓越的理论比容量 (3579mah g2020年7月30日 一种硅掺杂HfO2基铁电薄膜的制备方法专利检索，一种硅掺杂HfO2基铁电薄膜的制备方法属于脉冲激光沉积物理气相沉积表面处理和涂层专利检索，找专利汇即可免费查询专利，物理气相沉积表面处理和涂层专利汇是一家知识产权数据服务商，提供专利分析，专利查询，专利检索等数据服务功能。一种硅掺杂HfO2基铁电薄膜的制备方法专利检索脉冲激光
一种电沉积硅薄膜的方法与流程
2022年4月13日 技术实现要素： 4本发明的目的是提供一种电沉积硅薄膜的方法，不仅能够解决四氯化硅污染环境、增加企业生产成本的问题，而且还能够解决传统方法电沉积硅薄膜所需温度高、能耗高、产品质量差的问题。2018年12月14日 本发明属于分离膜的技术领域,公开了一种利用电沉积氢氧化钴纳米片制备成膜的方法方法:1)将导电基材进行预处理;2)通过电沉积方法在导电基材表面沉积氢氧化钴纳米片阵列;3)将表面沉积氢氧化钴纳米片阵列的导电基材置于溶液中,超声剥离,得到纳米片分散液;所述溶液为聚乙烯吡咯烷酮的水溶液;4 一种利用电沉积氢氧化钴纳米片制备成膜的方法 百度学术
一种电沉积生产金属银的方法与流程
2019年4月23日 方面，本发明提供了一种电沉积生产金属银的方法，利用带有阴离子交换膜的电解槽对含ce (no3)3的阳极区电解液和含agno3的阴极区电解液进行电解，其中，阴极区的电解液和阳极区的电解液之间互不流通，电解完成后，在阴极得到金属银，阳极区得到 2015年10月10日 本发明提供一种利用熔盐电沉积法制备金属铝及其合金的方法,工艺步骤为: (1)采用真空干燥处理的酰胺类化合物制备熔盐电解液; (2)以铜片或不锈钢作为阴极,石墨或炭素材料作为阳极,电沉积制备金属铝或铝合金; (3)电解结束后取出铜片或不锈钢片,得到沉积在 一种利用熔盐电沉积法制备金属铝及其合金的方法 百度学术
一种用于氮化硅沉积的磁控溅射镀膜设备及镀膜方法 [发明专利]
2015年4月15日 一种用于氮化硅沉积的磁控溅射镀膜设备及镀膜方法 [发明专利] 技术领域 [0001] 本发明涉及太阳能设备及镀膜技术领域，尤其涉及用于氮化硅沉积的磁控溅射镀 膜设备及镀膜方法。 背景技术 [0002] 溅射技术属于 PVD ( 物理气相沉积 ) 技术的一种，是制备薄 一种新的制备ZnO纳米粒子的方法——阴极电沉积法 用阴极电沉积法制备高质量ZnO纳米薄膜,电沉积采用含有不同浓度的ZnCl2的非水二甲基亚砜溶液做电解液,室温下恒流沉积,得到纳米ZnO薄膜。 研究了ZnCl2浓度对薄膜结构和光学性质的影响。 沉积薄膜的ZnO粒径尺寸 一种新的制备ZnO纳米粒子的方法——阴极电沉积法 百度学术
一种熔盐电沉积钒的方法 百度学术
何小凤，李运刚，张士宪 ，李智慧 展开 摘要： 本发明公开了一种熔盐电沉积钒的方法,本发明方法以NaCl,KC1,NaF构成的三组元为介质,阳极材质为高纯石墨,阴极为碳钢片,在温度670～830℃保温7h将V2O5在熔盐中充分溶解,脉冲给电且平均电流密度为110 2020年8月25日 为实现上述目的，本发明提供了一种高温熔盐电沉积制备单晶硅膜及硅pn结的方法，所述方法包括以下步骤： 步骤1、将原料按比例加入坩埚中，并加入掺杂剂，然后将所述坩埚放入高温电阻炉内，在惰性气氛下加热至400～600℃，保温12～24h除去所述 一种高温熔盐电沉积制备单晶硅膜及硅PN结的方法与流程
一种多层非晶硅薄膜的制备方法及太阳能电池 百度学术
2021年9月29日 本发明公开了一种多层非晶硅薄膜的制备方法及太阳能电池,该制备方法包括:在低射频功率和低加热温度,高的射频功率和加热温度,更高射频频率的条件下,利用PECVD工艺依次在硅片表面沉积三层非晶硅薄膜本发明多层非晶硅薄膜的制备方法,通过在硅片表面沉积功能不同的多层非晶硅薄膜,不仅能够 何小凤，李运刚，张士宪 ，李智慧 展开 摘要： 本发明公开了一种熔盐电沉积钒的方法,本发明方法以NaCl,KC1,NaF构成的三组元为介质,阳极材质为高纯石墨,阴极为碳钢片,在温度670～830℃保温7h将V2O5在熔盐中充分溶解,脉冲给电且平均电流密度为110 一种熔盐电沉积钒的方法 百度学术
一种氮化硅薄膜的可流动化学气相沉积方法 百度学术
2018年8月26日 本发明提供了一种具有较低蚀刻速率的氧化硅薄膜的可流动化学气相沉积方法,以具有环形分子结构的环硅烷作为前驱体,与含氮化合物采用"沉积固化"的周期性循环方式沉积到衬底上,形成可流动的氮化硅薄膜,直至填满衬底的沟槽本发明公开的氮化硅薄膜的SiH键密度显著降低,湿蚀刻速率也大大降低,在 CN 摘要： 本发明属于太阳能电池技术领域,提供了一种晶体硅太阳能电池的制备方法及晶体硅太阳能电池该制备方法包括:对N型晶体硅片清洗和制绒;在硅片正面进行硼扩散形成P型发射极和硼硅玻璃层,用酸溶液去除扩散至硅片背面的硼硅玻璃;在硅片背面 一种晶体硅太阳能电池的制备方法及晶体硅太阳能电池
一种用于多晶硅生产提高还原沉积反应效率的方法 百度学术
2013年1月22日 本发明提供一种用于多晶硅生产提高还原沉积反应效率的方法,二氯二氢硅和三氯氢硅液体采用独立的汽化器和过热器,分别进行汽化和过热;过热后的三氯氢硅气体,二氯二氢硅气体及高纯氢气通过各自的流量控制单元分阶段以合适的流量进入静态混合器中混合,混合后的气体进入混合气体温度控制单元 2007年5月29日 Abstract 一种电沉积硅的方法，属电解和电泳技术领域，用于解决以熔盐为介质，在直流电的作用下，由SiO 2 一步电沉积出硅的问题。特别之处是：它以NaCl、KCl、NaF构成的三组元为介质，其中NaCl、KCl、NaF三组元的摩尔比为：1∶1∶05～1∶1∶45，加入占熔盐介质质量百分数的10％的粉状SiO 2 ；经过预电 CNA 一种电沉积硅的方法 Google Patents
一种利用热等离子法制备球形纳米硅的方法 百度学术
2017年1月3日 本发明涉及一种利用热等离子法制备球形纳米硅的方法,属于硅冶金及材料制备技术领域先将工业级气体或混合气通入等离子体发生器,引弧得到热等离子体,将微米级含硅粉料通过载气进入热等离子高温区域得到气态硅原子及其他气态粒子,气态硅原子及其他气态粒子在急速冷却过程中得到纳米颗粒 2012年2月8日 本发明涉及可加工层状钛硅铝碳陶瓷领域,特别提供了一种利用电泳沉积制备钛硅铝碳 (Ti3Si (Al)C2)陶瓷涂层的方法,解决现有技术中难以获得纯的钛硅碳 (Ti3SiC2)涂层等问题。 该方法以钛硅铝碳 (Ti3SiAlC2)粉末、水 (H2O)为原料制成悬浮液,悬浮液中钛硅铝碳 (Ti3SiAlC2)的 一种利用电泳沉积制备钛硅铝碳陶瓷涂层的方法